ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
30 |
طراحی تقویت کننده مایکروویو باند X
در این پروژه به طراحی و تحلیل تقویت کننده ترانزیستوری باند X با فرکانس مرکزی 10GHz پرداخته میشود. بدین منظور از ترانزستور اثر میدان (FET) FHX35LG استفاده خواهد شد. پارامترهای پراکندگی ترانزیستور فوق در فایلی با پسوند S2P موجود بوده که بازه فرکانسی 0.1GHz<f<20GHz را شامل میشود.
ادامه مطلب ...