ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
30 |
وریستور یک نوع مقاومت الکتریکی است که مقاومت الکتریکی این قطعه با توجه به ولتاژ اعمال شده به دو سر وریستور تغییر می کند. این قطعه به VDR یا Voltage Dependent Resistor ( مقاومت وابسته به ولتاژ ) نیز معروف است. وریستور مانند دیود دارای مشخصه ی ولتاژ-جریان غیر خطی و غیر اهمی است ولی برخلاف دیود این قطعه در هر دو جهت جریان عمل می کند و فاقد پلاریته است.
در ولتاژ های پایین مقاومت وریستور بالاست و با افزایش یافتن ولتاژ مقاومت وریستور نیز کم می شود. از وریستور در مدار های الکترونیکی به منظور کنترل و حفاظت از قطعات الکترونیکی در مقابل صدمات ناشی از ولتاژ گذرای بسیار بالا به کار می رود. زمانی که می خواهید از وریستور به عنوان محافظ یک قطعه استفاده کنید باید وریستور را به صورت موازی با آن قطعه نصب کنید. با این کار در صورتی که اضافه ولتاژ روی قطعه بیفتد، مقاومت وریستور کاهش می یابد و جریان زیادی از وریستور می گذرد و جریان از قطعه مورد نظر شما نخواهد گذشت.
ولتاژهای سریع و گذرا در نیروگاهها و پستهای قدرت یا مدارهای الکترونیکی میتواند ناشی از رعد و برق یا کلیدزنی قطع و وصل خواسته یا ناخواسته یا در مدارهای الکترونیکی حساس میتواند ناشی از تخلیه الکتریسیته ساکن جمع شده در بدن انسان باشد که وریستورها بدون خراب شدن میتوانند به طور مکرر عمل تنظیم و محدود کردن این گونه ولتاژهای ناپایدار و زودگذر را انجام دهند.
قدیمیترین وریستورها، یکسوکنندههای سلنیومی میباشند که به طور وسیع در سیستمهای قدیمی تلفن و دیگر دستگاهها به منظور جلوگیری از ولتاژهای غیرعادی و ناپایدار به کار میرفتهاند. با پیشرفت دانش فنی، این گونه وسایل با سیستمهای تک بلور سیلیسیم و از طریق دیودهای زنری به منظور کاربردهای ولتاژ پایین و انواع چند بلوره کاربید سیلیسیم و اکسید روی به منظور کاربردهای ولتاژ بالا، تعویض شدند.
پژوهش ها به منظور ساخت وریستورهای اکسید روی اولین بار در شرکت ماتسوشیتای ژاپن توسط گروه پژوهشی M.Matsaka شروع شد که در نهایت منجر به کشف و ساخت وریستورهای پایه اکسید روی شد. به دلیل مقاومت غیرخطی بالای وریستورها، تحقیقات در مورد افزایش کارایی و حل مشکلات این قطعات گستردهتر نیز شد و مشکلات طراحی با وریستورهای اکسید روی به تدریج حذف گردید. در شکل فوق، یک نمونه وریستور به همراه مشخصات الکتریکی و چگونگی قرارگیری در مدارها آورده شده است.