ترانزیستور پیوندی

ترانزیستور پیوندی

ترانزیستور BJT (Bipolar Junction Transistor)عموما از نوع NPN و در فرکانس های 2 تا 4 گیگاهرتز به خاطر بهره (Gain) بالا و قیمت پایین به کار گرفته شده و از لحاظ نویز (Noise) نسبت به FET ها عملکرد ضعیف تری دارند.

شکل اول مدار معادل سیگنال کوچک (Small Signal) امیتر مشترک (Common Emitter) این نوع ترانزیستورها در محدوده فرکانس های مایکروویو (Microwave Frequency) را نشان می دهد. المان ها و مقادیر معمول به شرح زیر می باشند.

مقاومت بیس Rb=7ohm، Rpi=110ohm مقاومت معادل pi، Cpi=18pF خازن معادل pi، Cc=18pF خازن کلکتور، gm=900ms رسانایی متقابل.

رسانایی متقابل بیشتر، بهره توان بالاتر در فرکانس های پایین را در پی داشته و خازن های بزرگ تر باعث کاهش بهره در فرکانس‏های‏ بالا‏ می شود. همانند ترانزیستورهای اثر میدان، از مدار معادل سیگنال کوچک برای تخمین حد بالای فرکانس قطع (Cutoff Frequency) ترانزیستور مورد استفاده قرار می گیرد و پیامد آن به صورت زیر است.

fT=gm/2*pi*Cpi

تعیین نقطه کار حائز اهمیت است، به عنوان نمونه برای کاهش نویز (Noise Reduction) جریان کلکتور پایین و برای دریافت بهره توان بیشتر جریان بزرگ تری نیاز است. در کتاب گونزالس انواع مدار بایاس (Bias Circuit) به همراه کاربرد هر کدام از آن ها ذکر شده است،  شکل دوم  مشخصه DC به همراه مدار بایاس آن آورده شده است.